汇众太阳能蓄电池的背发射结反面隧道氧化钝化接触高效电池的制造办法，去除硅片的损伤层，再停止制绒，在硅片正面构成

　　技术引见

　　背发射结反面隧道氧化钝化接触电池与常规电池技术不同之处是在反面隧道氧化钝化层及掺杂的多晶硅层这种复合构造的制备，这种办法的关键之处在超薄的隧穿氧化层的制备控制方面及制备前与硅基底间的界面状态的处置。全掩盖铝背发射结的N型晶硅太阳电池，包括单晶或者多晶硅片，以及其上印刷的银正电极，在硅片反面印刷有铝背主栅线，在铝背主栅线上印刷有银背主栅线或银铝背主栅线，银背主栅线或银铝背主栅线印刷在铝背主栅线内；在铝背主栅线以外的硅片反面上印刷有铝背电极，铝背电极边缘与铝背主栅线边缘堆叠，使烧结后的硅片反面上全部掩盖有铝的铝背发射结。固然该专利处理了由于银背主栅线或银铝背主栅线直接印刷在硅片上烧结后形成的铝发射结漏电通道问题，但是依然存在电性能有待进步的问题。

　　采用以下步骤：

　　(1)应用将硅片在KOH或NaOH碱溶液及H2O2溶液中去除损伤层，接着用四甲基氢氧化铵及异丙醇构成混合溶液对硅片停止制绒，双面构成具有1-4μm的金字塔绒面；

　　(2)在硅片正面采取扩散或离子注入的办法，构成N+前外表场；

　　(3)应用HF溶液去除硼硅玻璃BSG层，用HNO3和HF的混合溶液停止边绝缘和抛光

　　(4)应用湿法化学的办法在硅片的反面生长一层超薄的隧道氧化层SiO2，接着用PECVD或其他CVD法在其上生长掺B的P+多晶硅层；

　　(5)采取原子层堆积或PECVD技术对掺B的P+多晶硅层的外表堆积厚度为20-30nm的三氧化二铝层；

　　(6)在硅片正面采用PECVD法或磁控溅射法生长氢化非晶氮化硅钝化减反射层，厚度为75-85nm；

　　(7)采用丝网印刷的办法在硅片的正面印刷Ag浆料，停止烧结，反面采取蒸镀或涂源法构成全铝背场Al-BSF构造，用烘干炉停止烘干，确保电池片的双面都构成良好的接触即可。